2SJ529L06-E सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

भाग संख्या：

2SJ529L06-E

उत्पाद वर्गीकरण：

सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी

निर्माता：

Renesas

या क़िस्‍म：

2SJ529L06 - P-CHANNEL POWER MOSF

संपुटीकरण：

लपेटना：

थोक

बड़ तादाद：

61444

RoHS स्थिति：

पत्ती

प्रकार	विवरण
एमएफआर	Renesas
शृंखला	-
पैकेट	थोक
उत्पाद की स्थिति	OBSOLETE
पैकेज/केस	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
परिचालन तापमान	150°C
तकनीकी	MOSFET (Metal Oxide)
एफईटी प्रकार	P-Channel
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	10A (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	160mOhm @ 5A, 10V
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)	20W (Tc)
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	2V @ 1mA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	DPAK(L)-(2)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)	4V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	60 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	580 pF @ 10 V

प्रकार

विवरण

एमएफआर

Renesas

शृंखला

पैकेट

थोक

उत्पाद की स्थिति

OBSOLETE

पैकेज/केस

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

माउन्टिंग का प्रकार