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A5G21H605W19NR3

भाग संख्या A5G21H605W19NR3
उत्पाद वर्गीकरण आरएफ एफईटी, एमओएसएफईटी
निर्माता NXP Semiconductors
या क़िस्‍म RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
संपुटीकरण
लपेटना टेप और रील (टीआर)
बड़ तादाद 1200
RoHS स्थिति NO
पत्ती
उत्पाद पैरामीटर
उत्पाद वर्णन:
PDF(1)
प्रकारविवरण
एमएफआरNXP Semiconductors
शृंखला-
पैकेटटेप और रील (टीआर)
उत्पाद की स्थितिACTIVE
पैकेज/केसOM-780-4S4S
माउन्टिंग का प्रकारSurface Mount
आवृत्ति2.11GHz ~ 2.2GHz
पावर आउटपुट85W
पाना15.1dB
तकनीकीGaN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजOM-780-4S4S
वोल्टेज - रेटेड125 V
वोल्टेज - परीक्षण48 V
वर्तमान - परीक्षण300 mA

इसी तरह के मॉडल
A5G21H605W19N
恩智浦-NXP
2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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