AOT12N60FD सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

भाग संख्या：	AOT12N60FD
उत्पाद वर्गीकरण：	सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी
निर्माता：	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
या क़िस्‍म：	N
संपुटीकरण：
लपेटना：	टेप और रील (टीआर)
बड़ तादाद：	1200
RoHS स्थिति：	YES
पत्ती

भाग संख्या：

AOT12N60FD

उत्पाद वर्गीकरण：

सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी

निर्माता：

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

या क़िस्‍म：

संपुटीकरण：

लपेटना：

टेप और रील (टीआर)

बड़ तादाद：

1200

RoHS स्थिति：

YES

पत्ती

उत्पाद पैरामीटर

उत्पाद वर्णन:

प्रकार	विवरण
एमएफआर	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
शृंखला	-
पैकेट	टेप और रील (टीआर)
उत्पाद की स्थिति	ACTIVE
पैकेज/केस	TO-220-3
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
तकनीकी	MOSFET (Metal Oxide)
एफईटी प्रकार	N-Channel
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	12A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	650mOhm @ 6A, 10V
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)	278W (Tc)
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	4V @ 250µA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-220
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)	10V
वीजीएस (अधिकतम)	±30V
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	600 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	50 nC @ 10 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	2010 pF @ 25 V

वैकल्पिक मॉडल

                                          AOT12N60FD                                        

                                          万代-AOS                                        

                                        高压MOSFET (500V - 1000V)                                      

                                          AOT12N60FDL                                        

                                          万代-AOS                                        

                                        MOSFET：N-Channel                                      