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D175K2K5E

भाग संख्या D175K2K5E
उत्पाद वर्गीकरण एडजस्टेबल पावर रेसिस्टर
निर्माता Ohmite
या क़िस्‍म ADJ PWR RES 2.5K OHM 175W CHAS
संपुटीकरण
लपेटना डिब्बा
बड़ तादाद 1200
RoHS स्थिति YES
पत्ती
विस्‍तृत सूची:
कुल

बड़ तादाद

दाम

दाम

10

$33.0855

$330.8550

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उत्पाद पैरामीटर
PDF(1)
प्रकारविवरण
एमएफआरOhmite
शृंखलाDividohm®210
पैकेटडिब्बा
उत्पाद की स्थितिACTIVE
सहनशीलता±10%
पैकेज/केसRadial, 3 Lead, Tubular
समायोजन प्रकारSlide
माउन्टिंग का प्रकारChassis Mount
व्यास1.125" OD, 0.750" ID (28.58mm x 19.05mm)
लंबाई8.500" (215.90mm)
समापनSolder Lug
प्रतिरोध2.5 kOhms
पावर (वाट्स)175 W
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力特-Littelfuse
J级保险丝
HSBD175
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TLC-USMD175
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自恢复保险丝
PSVD175
Powersem
DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline
PSXD175
Powersem
DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline
PSYD175
Powersem
DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline
PSWD175
Powersem
DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline
TLGD175
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ARU-B100-D175
莱姆-LEM
电流传感器
CSD17559Q5
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17575Q3
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17501Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17506Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17581Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17578Q3A
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17553Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
RSD175N10FRA
罗姆-ROHM
4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101)
CSD17555Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
HD1750FX
意法-ST
最新高清超薄CRT显示器的高压NPN功率晶体管
CSD17552Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
BD1754HFN
罗姆-ROHM
带64级调光功能 恒电流LED驱动器 最多可驱动4个LED
CSD17581Q3A
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
TD175N16SOF
英飞凌-Infineon
可控硅/二极管模块
CSD17507Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
PMGD175XNEA
安世-Nexperia
PMGD175XNEA - 30 V, Dual N-channel Trench MOSFET
DD175N30K
英飞凌-Infineon
可控硅/二极管模块
RSD175N10
罗姆-ROHM
4V Drive Nch MOSFET
CSD17505Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
2SD1757K
罗姆-ROHM
Low VCE(sat) Transistor
CSD17551Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17577Q3A
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17576Q5B
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17570Q5B
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
2SD1758
罗姆-ROHM
Driver Transistor
CSD17522Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17578Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
PMGD175XNE
安世-Nexperia
30 V, Dual N-channel Trench MOSFET
CSD17585F5
德州仪器-TI
采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17556Q5B
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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Rectifier Diode Module
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Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.1K OHM 5% 1/8W 0805
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