取消
| प्रकार | विवरण |
| एमएफआर | EPC |
| शृंखला | eGaN® |
| पैकेट | टेप और रील (टीआर) |
| उत्पाद की स्थिति | DISCONTINUED |
| पैकेज/केस | Die |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| तकनीकी | GaNFET (Gallium Nitride) |
| एफईटी प्रकार | N-Channel |
| वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 33A (Ta) |
| आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस | 4mOhm @ 33A, 5V |
| वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी | 2.5V @ 9mA |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | Die |
| ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू) | 5V |
| वीजीएस (अधिकतम) | +6V, -5V |
| ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) | 40 V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 11.6 nC @ 5 V |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1200 pF @ 20 V |
