EPC2212 सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

भाग संख्या：	EPC2212
उत्पाद वर्गीकरण：	सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी
निर्माता：	EPC
या क़िस्‍म：	GANFET N-CH 100V 18A DIE
संपुटीकरण：
लपेटना：	टेप और रील (टीआर)
बड़ तादाद：	154897
RoHS स्थिति：	YES
पत्ती

भाग संख्या：

EPC2212

उत्पाद वर्गीकरण：

सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी

निर्माता：

EPC

या क़िस्‍म：

GANFET N-CH 100V 18A DIE

संपुटीकरण：

लपेटना：

टेप और रील (टीआर)

बड़ तादाद：

154897

RoHS स्थिति：

YES

पत्ती

उत्पाद पैरामीटर

उत्पाद वर्णन:

PDF(1)

PDF(2)

प्रकार	विवरण
एमएफआर	EPC
शृंखला	eGaN®
पैकेट	टेप और रील (टीआर)
उत्पाद की स्थिति	NOT_FOR_NEW_DESIGNS
पैकेज/केस	Die
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
तकनीकी	GaNFET (Gallium Nitride)
एफईटी प्रकार	N-Channel
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	18A (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	13.5mOhm @ 11A, 5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	2.5V @ 3mA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	Die
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)	5V
वीजीएस (अधिकतम)	+6V, -4V
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	100 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	4 nC @ 5 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	407 pF @ 50 V

वैकल्पिक मॉडल

                                          EPC2212                                        

                                          宜普-EPC                                        

                                        面向车载应用的100 V、75 A增强型氮化镓功率晶体管                                      

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