G06NP06S2 FET, MOSFET सारणियाँ_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

भाग संख्या：

G06NP06S2

उत्पाद वर्गीकरण：

FET, MOSFET सारणियाँ

निर्माता：

Goford Semiconductor

या क़िस्‍म：

MOSFET N/P-CH 60V 6A 8SOP

संपुटीकरण：

लपेटना：

टेप और रील (टीआर)

बड़ तादाद：

41200

RoHS स्थिति：

पत्ती

प्रकार	विवरण
एमएफआर	Goford Semiconductor
शृंखला	TrenchFET®
पैकेट	टेप और रील (टीआर)
उत्पाद की स्थिति	ACTIVE
पैकेज/केस	8-SOP
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
तकनीकी	MOSFET (Metal Oxide)
शक्ति - अधिकतम	2W (Tc), 2.5W (Tc)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	60V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	6A (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	22nC @ 10V, 25nC @ 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

प्रकार

विवरण

एमएफआर

Goford Semiconductor

शृंखला

TrenchFET®

पैकेट

टेप और रील (टीआर)

उत्पाद की स्थिति

ACTIVE

पैकेज/केस

8-SOP