G2K2P10D3E सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

भाग संख्या：	G2K2P10D3E
उत्पाद वर्गीकरण：	सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी
निर्माता：	Goford Semiconductor
या क़िस्‍म：	MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
संपुटीकरण：
लपेटना：	टेप और रील (टीआर)
बड़ तादाद：	6170
RoHS स्थिति：	YES
पत्ती

भाग संख्या：

G2K2P10D3E

उत्पाद वर्गीकरण：

सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी

निर्माता：

Goford Semiconductor

या क़िस्‍म：

MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-

संपुटीकरण：

लपेटना：

टेप और रील (टीआर)

बड़ तादाद：

6170

RoHS स्थिति：

YES

पत्ती

उत्पाद पैरामीटर

उत्पाद वर्णन:

PDF(1)

प्रकार	विवरण
एमएफआर	Goford Semiconductor
शृंखला	-
पैकेट	टेप और रील (टीआर)
उत्पाद की स्थिति	ACTIVE
पैकेज/केस	8-PowerVDFN
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
तकनीकी	MOSFET (Metal Oxide)
एफईटी प्रकार	P-Channel
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	10A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	210mOhm @ 6A, 10V
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)	31W (Tc)
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	2.5V @ 250µA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-DFN (3.15x3.05)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)	4.5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	100 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	33 nC @ 10 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	1668 pF @ 50 V

वैकल्पिक मॉडल

                                          G2K2P10D3E                                        

                                          谷峰-GOFORD                                        

                                        Trench Mosfet                                      