NXH004P120M3F2PTNG FET, MOSFET सारणियाँ_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

भाग संख्या：	NXH004P120M3F2PTNG
उत्पाद वर्गीकरण：	FET, MOSFET सारणियाँ
निर्माता：	Sanyo Semiconductor/onsemi
या क़िस्‍म：	SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
संपुटीकरण：
लपेटना：	ट्रे
बड़ तादाद：	1200
RoHS स्थिति：	YES
पत्ती

भाग संख्या：

NXH004P120M3F2PTNG

उत्पाद वर्गीकरण：

FET, MOSFET सारणियाँ

निर्माता：

Sanyo Semiconductor/onsemi

या क़िस्‍म：

SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL

संपुटीकरण：

लपेटना：

ट्रे

बड़ तादाद：

1200

RoHS स्थिति：

YES

पत्ती

प्रकार	विवरण
एमएफआर	Sanyo Semiconductor/onsemi
शृंखला	-
पैकेट	ट्रे
उत्पाद की स्थिति	ACTIVE
पैकेज/केस	Module
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
विन्यास	2 N-Channel (Half Bridge)
परिचालन तापमान	-40°C ~ 175°C (TJ)
तकनीकी	Silicon Carbide (SiC)
शक्ति - अधिकतम	1.1kW (Tj)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	1200V (1.2kV)
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	338A (Tj)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	16410pF @ 800V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	5.5mOhm @ 200A, 18V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	876nC @ 20V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	4.4V @ 120mA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	36-PIM (56.7x62.8)

प्रकार

विवरण

एमएफआर

Sanyo Semiconductor/onsemi

शृंखला

पैकेट

ट्रे

उत्पाद की स्थिति

ACTIVE

पैकेज/केस

Module

माउन्टिंग का प्रकार