NXV08A170DB2 FET, MOSFET सारणियाँ_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

भाग संख्या：

NXV08A170DB2

उत्पाद वर्गीकरण：

FET, MOSFET सारणियाँ

निर्माता：

Sanyo Semiconductor/onsemi

या क़िस्‍म：

APM12-CBA, MV7 80V, AL2O3, HALF

संपुटीकरण：

लपेटना：

ट्रे

बड़ तादाद：

1200

RoHS स्थिति：

YES

पत्ती

प्रकार	विवरण
एमएफआर	Sanyo Semiconductor/onsemi
शृंखला	-
पैकेट	ट्रे
उत्पाद की स्थिति	ACTIVE
पैकेज/केस	12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
विन्यास	2 N-Channel (Half Bridge)
परिचालन तापमान	175°C (TJ)
तकनीकी	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	80V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	200A (Tj)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	14000pF @ 40V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	195nC @ 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	4V @ 250µA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	APM12-CBA
श्रेणी	Automotive
योग्यता	AEC-Q100

प्रकार

विवरण

एमएफआर

Sanyo Semiconductor/onsemi

शृंखला

पैकेट

ट्रे

उत्पाद की स्थिति

ACTIVE

पैकेज/केस

12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)

माउन्टिंग का प्रकार