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SCT012H90G3AG

भाग संख्या SCT012H90G3AG
उत्पाद वर्गीकरण सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी
निर्माता STMicroelectronics
या क़िस्‍म H2PAK-7
संपुटीकरण
लपेटना टेप और रील (टीआर)
बड़ तादाद 1200
RoHS स्थिति YES
पत्ती
विस्‍तृत सूची:
कुल

बड़ तादाद

दाम

दाम

1000

$31.5630

$31,563.0000

कोट जानकारी प्राप्त करें
उत्पाद पैरामीटर
उत्पाद वर्णन:
प्रकारविवरण
एमएफआरSTMicroelectronics
शृंखला-
पैकेटटेप और रील (टीआर)
उत्पाद की स्थितिACTIVE
पैकेज/केसTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
माउन्टिंग का प्रकारSurface Mount
परिचालन तापमान-55°C ~ 175°C (TJ)
तकनीकीSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
एफईटी प्रकारN-Channel
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस110A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस15.8mOhm @ 60A, 18V
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)625W (Tc)
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी4.2V @ 10mA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजH2PAK-7
श्रेणीAutomotive
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)15V, 18V
वीजीएस (अधिकतम)+18V, -5V
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)900 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस138 nC @ 18 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस3880 pF @ 600 V
योग्यताAEC-Q101

वैकल्पिक मॉडल
SCT012H90G3AG
意法-ST
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
इसी तरह के मॉडल
SCT012H90G3AG
意法-ST
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.1K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 2.4K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.5K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 3K OHM 5% 1/8W 0805
Roving Networks (Microchip Technology)
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC
Omron Electronic Components
SENSOR OPT REFLECTIVE 5MM 5DIP
Sullins Connector Solutions
CONN HEADER VERT 1POS
Sullins Connector Solutions
CONN HEADER VERT 1POS
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