SCT012H90G3AG सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

भाग संख्या：	SCT012H90G3AG
उत्पाद वर्गीकरण：	सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी
निर्माता：	STMicroelectronics
या क़िस्‍म：	H2PAK-7
संपुटीकरण：
लपेटना：	टेप और रील (टीआर)
बड़ तादाद：	1200
RoHS स्थिति：	YES
पत्ती

भाग संख्या：

SCT012H90G3AG

उत्पाद वर्गीकरण：

सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी

निर्माता：

STMicroelectronics

या क़िस्‍म：

H2PAK-7

संपुटीकरण：

लपेटना：

टेप और रील (टीआर)

बड़ तादाद：

1200

RoHS स्थिति：

YES

पत्ती

उत्पाद पैरामीटर

प्रकार	विवरण
एमएफआर	STMicroelectronics
शृंखला	-
पैकेट	टेप और रील (टीआर)
उत्पाद की स्थिति	ACTIVE
पैकेज/केस	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
तकनीकी	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
एफईटी प्रकार	N-Channel
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	110A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	15.8mOhm @ 60A, 18V
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)	625W (Tc)
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	4.2V @ 10mA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	H2PAK-7
श्रेणी	Automotive
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)	15V, 18V
वीजीएस (अधिकतम)	+18V, -5V
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	900 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	138 nC @ 18 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	3880 pF @ 600 V
योग्यता	AEC-Q101

वैकल्पिक मॉडल

                                          SCT012H90G3AG                                        

                                          意法-ST                                        

                                        Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package                                      