SCT055W65G3-4AG सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

भाग संख्या：	SCT055W65G3-4AG
उत्पाद वर्गीकरण：	सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी
निर्माता：	STMicroelectronics
या क़िस्‍म：	TO247-4
संपुटीकरण：
लपेटना：	नली
बड़ तादाद：	1200
RoHS स्थिति：	YES
पत्ती

भाग संख्या：

SCT055W65G3-4AG

उत्पाद वर्गीकरण：

सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी

निर्माता：

STMicroelectronics

या क़िस्‍म：

TO247-4

संपुटीकरण：

लपेटना：

नली

बड़ तादाद：

1200

RoHS स्थिति：

YES

पत्ती

उत्पाद पैरामीटर

उत्पाद वर्णन:

प्रकार	विवरण
एमएफआर	STMicroelectronics
शृंखला	-
पैकेट	नली
उत्पाद की स्थिति	ACTIVE
पैकेज/केस	TO-247-4
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
परिचालन तापमान	-55°C ~ 200°C (TJ)
तकनीकी	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
एफईटी प्रकार	N-Channel
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	30A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	72mOhm @ 15A, 18V
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)	210W (Tc)
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	4.2V @ 1mA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-247-4
श्रेणी	Automotive
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)	15V, 18V
वीजीएस (अधिकतम)	+18V, -5V
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	650 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	32 nC @ 18 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	721 pF @ 40 V
योग्यता	AEC-Q101

वैकल्पिक मॉडल

                                          SCT055W65G3-4AG                                        

                                          意法-ST                                        

                                        Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package                                      