SSM3J144TU,LXHF सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

भाग संख्या：	SSM3J144TU,LXHF
उत्पाद वर्गीकरण：	सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी
निर्माता：	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
या क़िस्‍म：	SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
संपुटीकरण：
लपेटना：	टेप और रील (टीआर)
बड़ तादाद：	1200
RoHS स्थिति：	NO
पत्ती

भाग संख्या：

SSM3J144TU,LXHF

उत्पाद वर्गीकरण：

सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी

निर्माता：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

या क़िस्‍म：

SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V

संपुटीकरण：

लपेटना：

टेप और रील (टीआर)

बड़ तादाद：

1200

RoHS स्थिति：

पत्ती

प्रकार	विवरण
एमएफआर	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला	U-MOSVI
पैकेट	टेप और रील (टीआर)
उत्पाद की स्थिति	ACTIVE
पैकेज/केस	3-SMD, Flat Leads
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
परिचालन तापमान	150°C
तकनीकी	MOSFET (Metal Oxide)
एफईटी प्रकार	P-Channel
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	3.2A (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	93mOhm @ 1.5A, 4.5V
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)	500mW (Ta)
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	1V @ 1mA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	UFM
श्रेणी	Automotive
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)	1.5V, 4.5V
वीजीएस (अधिकतम)	+6V, -8V
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	20 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	4.7 nC @ 4.5 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	290 pF @ 10 V
योग्यता	AEC-Q101

प्रकार

विवरण

एमएफआर

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

शृंखला

U-MOSVI

पैकेट

टेप और रील (टीआर)

उत्पाद की स्थिति

ACTIVE

पैकेज/केस

3-SMD, Flat Leads