SSM6N62TU,LXHF FET, MOSFET सारणियाँ_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

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भाग संख्या：	SSM6N62TU,LXHF
उत्पाद वर्गीकरण：	FET, MOSFET सारणियाँ
निर्माता：	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
या क़िस्‍म：	MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
संपुटीकरण：
लपेटना：	टेप और रील (टीआर)
बड़ तादाद：	2368
RoHS स्थिति：	NO
पत्ती

विस्‍तृत सूची:

कुल

बड़ तादाद

दाम

$0.4515

$0.3885

$3.8850

100

$0.2625

$26.2500

500

$0.2100

$105.0000

1000

$0.1680

$168.0000

3000

$0.1470

$441.0000

6000

$0.1470

$882.0000

9000

$0.1365

$1,228.5000

30000

$0.1365

$4,095.0000

कोट जानकारी प्राप्त करें

उत्पाद पैरामीटर

उत्पाद वर्णन:

PDF(1)

प्रकार	विवरण
एमएफआर	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला	-
पैकेट	टेप और रील (टीआर)
उत्पाद की स्थिति	ACTIVE
पैकेज/केस	6-SMD, Flat Leads
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
विन्यास	2 N-Channel (Dual)
परिचालन तापमान	150°C
तकनीकी	MOSFET (Metal Oxide)
शक्ति - अधिकतम	500mW (Ta)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	800mA (Ta)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	177pF @ 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	85mOhm @ 800mA, 4.5V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	2nC @ 4.5V
एफईटी सुविधा	Logic Level Gate, 1.2V Drive
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	1V @ 1mA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	UF6
श्रेणी	Automotive
योग्यता	AEC-Q101