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1
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50
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100
$0.8085
$80.8500
500
$0.6825
$341.2500
1000
$0.5565
$556.5000
2000
$0.5250
$1,050.0000
5000
$0.5040
$2,520.0000
10000
$0.4725
$4,725.0000
| प्रकार | विवरण |
| एमएफआर | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| शृंखला | U-MOSX-H |
| पैकेट | नली |
| उत्पाद की स्थिति | ACTIVE |
| पैकेज/केस | TO-220-3 Full Pack |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| परिचालन तापमान | 175°C |
| तकनीकी | MOSFET (Metal Oxide) |
| एफईटी प्रकार | N-Channel |
| वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 58A (Tc) |
| आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस | 6.8mOhm @ 29A, 10V |
| विद्युत अपव्यय (अधिकतम) | 41W (Tc) |
| वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी | 3.5V @ 500µA |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | TO-220SIS |
| ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू) | 6V, 10V |
| वीजीएस (अधिकतम) | ±20V |
| ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) | 80 V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 39 nC @ 10 V |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 2700 pF @ 40 V |
