TW015Z120C,S1F सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

भाग संख्या：	TW015Z120C,S1F
उत्पाद वर्गीकरण：	सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी
निर्माता：	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
या क़िस्‍म：	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
संपुटीकरण：
लपेटना：	नली
बड़ तादाद：	1298
RoHS स्थिति：	YES
पत्ती

भाग संख्या：

TW015Z120C,S1F

उत्पाद वर्गीकरण：

सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी

निर्माता：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

या क़िस्‍म：

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1

संपुटीकरण：

लपेटना：

नली

बड़ तादाद：

1298

RoHS स्थिति：

YES

पत्ती

प्रकार	विवरण
एमएफआर	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला	-
पैकेट	नली
उत्पाद की स्थिति	ACTIVE
पैकेज/केस	TO-247-4
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
परिचालन तापमान	175°C
तकनीकी	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
एफईटी प्रकार	N-Channel
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	100A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	21mOhm @ 50A, 18V
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)	431W (Tc)
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	5V @ 11.7mA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-247-4L(X)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)	18V
वीजीएस (अधिकतम)	+25V, -10V
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	1200 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	158 nC @ 18 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	6000 pF @ 800 V

प्रकार

विवरण

एमएफआर

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

शृंखला

पैकेट

नली

उत्पाद की स्थिति

ACTIVE

पैकेज/केस

TO-247-4

माउन्टिंग का प्रकार