VS-1N1185 एकल डायोड_चोंगमिंग ग्रुप(एचके)_फ्लैश मेमोरी आईसी चिप_प्रोग्रामेबल आईसी चिप_कंप्यूटर आईसी चिप_एलईडी ड्राइवर आईसी_पावर प्रबंधन आईसी_एकीकृत सर्किट चिप

भाग संख्या：	VS-1N1185
उत्पाद वर्गीकरण：	एकल डायोड
निर्माता：	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
या क़िस्‍म：	DIODE GEN PURP 150V 35A DO203AB
संपुटीकरण：
लपेटना：	थोक
बड़ तादाद：	1200
RoHS स्थिति：	YES
पत्ती

उत्पाद पैरामीटर

PDF(1)

प्रकार	विवरण
एमएफआर	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला	-
पैकेट	थोक
उत्पाद की स्थिति	ACTIVE
पैकेज/केस	DO-203AB, DO-5, Stud
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis, Stud Mount
रफ़्तार	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
तकनीकी	Standard
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)	35A
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	DO-203AB (DO-5)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन	-65°C ~ 190°C
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)	150 V
वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि	1.7 V @ 110 A
करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर	10 mA @ 150 V

वैकल्पिक मॉडल

                                          VS-1N1185                                        

                                          威世-Vishay                                        

                                        Power Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version), 35 A, 40 A, 60 A                                      

                                          VS-1N1185A                                        

                                          威世-Vishay                                        

                                        Power Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version), 35 A, 40 A, 60 A                                      

                                          VS-1N1185R                                        

                                          威世-Vishay                                        

                                        Power Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version), 35 A, 40 A, 60 A                                      