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VS-1N3671A

भाग संख्या VS-1N3671A
उत्पाद वर्गीकरण एकल डायोड
निर्माता Vishay General Semiconductor – Diodes Division
या क़िस्‍म DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
संपुटीकरण
लपेटना थोक
बड़ तादाद 1200
RoHS स्थिति YES
पत्ती
उत्पाद पैरामीटर
उत्पाद वर्णन:
PDF(1)
PDF(2)
प्रकारविवरण
एमएफआरVishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला-
पैकेटथोक
उत्पाद की स्थितिACTIVE
पैकेज/केसDO-203AA, DO-4, Stud
माउन्टिंग का प्रकारChassis, Stud Mount
रफ़्तारStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
तकनीकीStandard
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)12A
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजDO-203AA (DO-4)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन-65°C ~ 200°C
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)800 V
वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि1.35 V @ 12 A
करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर800 µA @ 800 V

वैकल्पिक मॉडल
VS-1N3671A
威世-Vishay
Medium Power Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version), 12 A
इसी तरह के मॉडल
VS-1N3671RA
威世-Vishay
Medium Power Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version), 12 A
VS-1N3671A
威世-Vishay
Medium Power Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version), 12 A

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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